Samsung Exynos 2700 untuk Galaxy S27 Series Dikabarkan Melepaskan Teknologi WLP

Samsung dikabarkan sedang mempertimbangkan untuk membuang teknologi pengemasan canggih Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) dari chipset Exynos 2700 yang akan menggerakkan Galaxy S27 series tahun 2027. Keputusan ini diambil untuk menekan biaya produksi dan meningkatkan profitabilitas.

Mengapa Samsung Mengurangi Teknologi Canggih?

FOWLP adalah teknologi pengemasan yang diperkenalkan Samsung pada Exynos 2400 dan dipertahankan untuk Exynos 2600. Proses ini cukup mahal dan dapat memengaruhi tingkat hasil produksi (yield rates).

Untuk meningkatkan profitabilitas, Samsung reportedly mempertimbangkan membuang FOWLP dari Exynos 2700, meskipun ini bisa berdampak pada kinerja termal chip.

Spesifikasi dan Peningkatan Exynos 2700

Meskipun ada pengurangan teknologi pengemasan, Exynos 2700 tetap menjanjikan peningkatan signifikan:

Aspek	Peningkatan
Proses manufaktur	SF2P (2nm generasi kedua)
Kinerja	+12% vs Exynos sebelumnya
Daya	-25% konsumsi power
Clock speed	Hingga 4.2 GHz (vs 3.8 GHz Exynos 2600)
Single-core Geekbench	+40% vs Exynos 2600
Multi-core Geekbench	+30% vs Exynos 2600

Exynos 2700 dengan nama kode 'Ulysses' sudah mengirim sampel pertama ke divisi smartphone Samsung untuk pengujian pada awal 2026.

Teknologi Pengemasan Baru: Side-by-Side (SbS)

Samsung reportedly sedang mempertimbangkan solusi yang lebih canggih bernama Side-by-Side (SbS), yang menempatkan blok jalur panas pada processor dan DRAM chip, dengan kedua komponen berdampingan pada substrate yang sama.

Teknologi ini menggunakan unified copper Heat Path Block (HPB) dalam desain pengemasan FOWLP-SbS yang membawa DRAM berdampingan dengan die, memungkinkan heat sink menutupi kedua komponen.

Dampak pada Galaxy S27

Beberapa model Galaxy S27 kemungkinan akan运行 lebih panas karena perubahan ini. Namun, Exynos 2700 tetap diharapkan menyelesaikan masalah termal dan efisiensi yang secara historis menghantui processor Exynos Samsung.

GPU Xclipse generasi berikutnya juga akan mendapat peningkatan dengan transfer data 80-100% lebih cepat dari LPDDR6 RAM dan UFS 5.0 storage, menghasilkan peningkatan kinerja hingga 40%.